SPUTOPIA
Sputtern von passivierenden Kontakten basierend auf der TOPCon-Technologie mit industrieller Anlagentechnologie Teilvorhaben: In-situ Sputterprozesse hochdotierter Poly-Si-Schichten
In den technologischen Roadmaps vieler Photovoltaikfirmen steht nach der Industrialisierung der PERC-Zelle als zukünftiger Entwicklungsschritt die Integration von ganzflächig passivierenden selektiven Rückseitenkontakten, sowie längerfristig die Entwicklung von siliziumbasierten Tandemsolarzellen. Für beide Konzepte sind ladungsträgerselektive Kontaktsysteme eine Schlüsseltechnologie. Im Vorhaben steht die in-situ-Abscheidung von n-dotierten Si-Schichten per Kathodenzerstäubung im Vordergrund, welche nachweislich Zellwirkungsgrade von ≥ 23,5 % in Solarzellen mit TOPCon-Strukturen, aber diffundiertem Emitter erreichen. Im Projekt erfolgt die Entwicklung einer industriell umsetzbaren Prozessfolge zum Aufbau des TOPCon-Schichtstapels, aufbauend auf einem kristallinen Si-Substrat, bestehend aus einem vorzugsweise nasschemischen Grenzflächenoxid und einer dotierten polykristallinen Silizium-Dünnschicht und optional einem Siliziumnitrid, basierend auf der durch PVD zur Verfügung stehenden Hochdurchsatzanlagentechnologie.
Fördergeber: Bundesministerium für Wirtschaft und Klimaschutz
Förderkennzeichen: 03EE1068A
Laufzeit: 01.10.2020 - 30.06.2023